可扩展CMOS后端兼容的AlScN/二维沟道铁电场效应晶体管研究背景电子器件及其内部传感器产生大量数据，迫切需要高速、节能的数据存储和处理。在传统以处理器为中心的计算中，

可扩展CMOS后端兼容的AlScN/二维沟道铁电场效应晶体管研究背景电子器件及其内部传感器产生大量数据，迫切需要高速、节能的数据存储和处理。在传统以处理器为中心的计算中，处理器核心必须以不同的距离和速度遍历不同级别的内存，从而导致数据瓶颈和低效的数据处理，近年来，人们提出了采用垂直堆叠、密集、高效和紧密集成存储器的内存计算架构来克服这些数据处理瓶颈。

在单个单元层面，该方案需要一个快速、可靠和低能耗的非易失性存储器(NVM)，该器件可以很容易地与处理晶体管集成，而不会占用逻辑层的宝贵空间。这推动了对与后端加工(BEOL)兼容的材料和器件的需求。因此，NVM器件和SiCMOS逻辑的单片三维(M3D)集成不仅从使存储器更接近处理单元的角度来看是可取的，而且这种方法还可以减少数据瓶颈问题并增加芯片级集成密度。

CMOS是单词的首字母缩写，集成电路是一块微小的硅片，它包含有几百万个电子元件。术语IC隐含的含义是将多个单独的集成电路集成到一个电路中，产生一个十分紧凑的器件。在通常的术语中，集成电路通常称为芯片，而为计算机应用设计的IC称为计算机芯片。虽然制造集成电路的方法有多种，但对于数字逻辑电路而言CMOS是主要的方法。桌面个人计算机、工作站、视频游戏以及其它成千上万的其它产品都依赖于CMOS集成电路来完成所需的功能。

CMOS之所以流行的一些原因为:·逻辑函数很容易用CMOS电路来实现。·CMOS允许极高的逻辑集成密度。其含义就是逻辑电路可以做得非常小，可以制造在极小的面积上。·用于制造硅片CMOS芯片的工艺已经是众所周知，并且CMOS芯片的制造和销售价格十分合理。这些特征及其它特征都为CMOS成为制造IC的主要工艺提供了基础。

CMOS是ComplementaryMetalOxideSemiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。说简单点，就是在芯片中构造场效应管，其基本结构就是绝缘栅场效应管的配对组合；TTL电路是晶体管晶体管逻辑电路的英文缩写（TransisterTransisterLogic），是数字集成电路的一大门类。

CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）工作原理基于p型和n型半导体材料的互补性。p型材料具有正孔多的特性，而n型材料具有电子多的特性，在CMOS电路中，p型和n型半导体材料组成了两种基本元件：p型晶体管和n型晶体管。当输入电压适当时，p型晶体管会导通，而n型晶体管不会导通。